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英特尔探索CPO共封装光学+算力芯片整合方案,与友达光电合作

2026
09/22
本篇文章来自
聚多邦

CPO把光引擎搬到芯片旁边,PCB为什么没有因此变简单?

2026年9月21日,产业链传出英特尔正与友达光电洽谈Micro LED基板先进封装合作,探索CPO(共封装光学)及高密度算力芯片整合方案。英特尔目前未对相关消息发表评论,友达则表示已在先进封装和玻璃基板领域与合作伙伴共同开发,但没有披露具体对象。此前,友达已公开展示系统级Micro LED CPO光学模块。

同一时期,高通与亚马逊也宣布将在AI数据中心领域开发最高1.6T及后续光连接方案。

当数据中心互连开始从800G、1.6T继续向更高速率推进,一个问题开始摆到PCB产业面前:光越来越靠近芯片之后,传统PCB会被削弱,还是反而面对更复杂的制造要求?


CPO要解决的,是高速电信号“跑不远”

传统可插拔光模块与交换芯片之间,需要通过PCB上的高速电通道连接。

速率不高时,这段距离相对容易处理。但交换容量和单通道速率持续提高后,高速电信号在PCB线路、过孔和连接器中都会产生损耗。

线路越长,信号完整性和功耗问题越突出。

CPO采用另一种思路:把光引擎放到交换ASIC等芯片附近,尽量缩短高速电信号需要在PCB上行走的距离,再通过光纤完成更长距离的数据传输。

因此,CPO并不是简单地“用光替代PCB”。

它首先替代的,是一部分原本需要在板级长距离传输的高速电互连。


光走得更多,不代表PCB可以做得更简单

这是CPO与PCB关系中最容易被误解的地方。

光引擎靠近计算或交换芯片之后,PCB依然需要承担供电、控制以及板级电连接等任务。与此同时,ASIC到光引擎之间留下来的高速电连接虽然更短,对信号质量的要求却可能更高。

因此,PCB仍然需要面对低损耗材料、差分阻抗、过孔结构和电源完整性等问题。

尤其在高速交换设备中,大量信号、电源和控制线路集中在有限空间里,可能进一步增加高多层和高密度互连的设计压力。

CPO减少的是高速电信号需要“跑多远”,不是让高速电信号变得不重要。

对于PCB制造端,材料Dk/Df、线路尺寸、介质厚度、过孔Stub以及阻抗一致性依然需要控制。


真正的光电异构集成,更多发生在封装层

这里还需要区分PCB和先进封装。

CPO的核心光电集成,主要发生在ASIC、光引擎、硅光器件、封装基板及相关先进封装结构之间,而不是直接把普通PCB变成一块“光电芯片”。

友达目前展示的Micro LED光通信方案,就涉及巨量转移、RDL重布线层封装、光学耦合,并整合Micro LED发射光源、Micro PD接收组件和光纤方案。

这已经进入先进封装和光电子集成范畴,与传统PCB制造存在明显技术边界。

所以对于PCB行业,更准确的判断不是“PCB升级成光电异构集成平台”,而是:先进封装负责把光和芯片拉得更近,PCB则需要适应这种新的封装和系统架构。

两者正在靠近,但并没有变成同一种制造工艺。


封装越先进,板级互连越需要重新匹配

芯片封装发生变化之后,下一级PCB并不会保持不变。

更高I/O密度、更大的封装尺寸、更高功率,以及高速接口位置变化,都可能重新影响PCB的叠层、线路、过孔和供电设计。

到了制造端,高多层PCB需要处理多次压合后的层间对准和板厚控制;高速线路需要关注阻抗和损耗;部分高速过孔可能采用背钻减少Stub;高密度区域则可能进一步增加HDI结构的应用需求。

这也是CPO真正值得PCB企业关注的地方。

它并不是给普通PCB增加一条“光线路”,而是上游芯片和封装架构变化之后,重新定义板级高速互连需要完成什么任务。

聚多邦目前可覆盖1—40层PCB、1—5阶HDI,支持M6/M7、Rogers、PTFE等材料,以及背钻和高速差分阻抗控制,并可衔接SMT及PCBA制造。对于高速交换、光通信及相关研发板卡,更现实的切入点仍然是围绕材料、叠层、阻抗和过孔结构进行工程评估,而不是将现有PCB能力直接等同于CPO先进封装能力。

CPO目前仍处于多种技术路线持续验证和产业化推进阶段。2026年OFC上,Coherent已经展示硅光、VCSEL和InP等多种CPO方案,也说明产业尚未收敛到单一路线。

但一个方向已经越来越清楚:

AI算力继续提高之后,单纯依靠电信号在PCB上跑更远,代价正在变高。

光会越来越靠近芯片,但PCB并不会因此退出高速互连。

相反,当先进封装负责解决“芯片旁边怎么把电变成光”,PCB要解决的问题会更加集中——怎样用更短、更稳定的高速电连接,把芯片、光引擎、供电和整套系统真正连接起来。


the end