导热系数高达170W/m·K,有效降低芯片 工作温度。
优异的介电强度 保障电路稳定可靠。
适用于高达800℃的极 端环境,性能稳定。
支持激光打孔、金属化、 沉金等高端工艺。
可选氧化铝、氮化铝、Si₃N₄ 等多种陶瓷基材。
严格工艺控制 + 完善测试流程,出货更安心。
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氧化铝陶瓷 Al₂O₃ | 氮化铝陶瓷 AlN | 氮化硅陶瓷 Si₃N₄ |
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24-28(W/m·K)
滿足常规散热 |
170-200(W/m·K)
高功率首选 |
80-90(W/m·K)
平衡之选 |
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7.2-8.0X10 -6 /℃
需要注意CTE差 |
4.5-5.5X10 -6 /℃
近芯片CTE |
3.0-3.5X10 -6 /℃
近芯片CTE |
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300-400MPa
基础防护 |
300-400MPa
需结构加强 |
600-800MPa
抗冲击专家 |
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经济型方案 | 性能优先选择 | 特殊场景专用 |
技术维度 | 捷多邦能力 | 行业价值 |
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精密线路 | 4/4mil极限精度
±0.05mm公差 |
提升高密度设计自由度20%+ |
板厚覆盖 | 0.38-2.0mm全系支持
支持混压结构 |
适应超薄穿戴设备到重工业模块全场景 |
精密线路 | 4/4mil极限精度
±0.05mm公差 |
提升高密度设计自由度20%+ |
微孔加工 | 0.2mm激光孔
8:1纵横比(行业平均5:1) |
实现更紧凑的3D封装设计 |
表面处理 | 6种方案可选
(含专利抗氧化沉金工艺) |
焊接良率提升至99.6% |
铜厚定制 | 0.5-3.0OZ灵活配置
支持局部增厚 |
大电流承载能力提升3倍 |
IGBT功率模块封装,提升散热效率30%+,主用于电控系统/充电桩功率模块
高电压隔离需求,保障长期稳定运行,变频器、伺服驱动器等高温场景
5G射频功放散热解决方案
COB封装基板,延长灯具寿命
极端温度环境下的可靠表现