2026年8月20日，NDTV Profit援引供应链信息称，疑似iPhone 18 Pro主板图显示A20 Pro芯片将采用新的封装架构，其NPU面积较上一代明显扩大。结合近期多方供应链消息，A20 Pro预计采用台积电N2 2nm制程，并首次引入WMCM（Wafer-Level Multi-Chip Module）封装技术；相关消息称其性能较A19 Pro最高提升约18%，能效改善约30%。目前上述主板图片及部分参数仍属于供应链爆料，尚未获得苹果官方确认，但2nm与WMCM已成为下一代iPhone芯片升级的重要技术方向。(NDTV Profit)

技术演进趋势：芯片升级开始从制程走向封装

过去智能手机SoC升级的主线主要是制程微缩，但进入2nm阶段后，先进封装正在成为另一条重要路径。传统PoP方案将DRAM堆叠于处理器上方，具有结构紧凑的优势，但热量也更容易集中。WMCM则将SoC与DRAM在晶圆级进行更深度的集成，通过重新组织芯片之间的位置和互连关系，改善数据传输、功耗与热管理。(MacRumors)

这意味着手机主板面对的已经不只是“芯片性能更高”，而是封装形态、I/O密度和电源完整性同步变化。随着端侧AI模型持续扩大，CPU、GPU、NPU与内存之间的数据交换增加，高密度BGA区域的逃线空间进一步收缩，HDI、Any-layer任意层互连、激光微孔以及更高密度叠层的重要性随之上升。

制造体系重塑：主板正在逼近封装级精度

高端手机PCB长期是HDI技术的重要应用市场，而WMCM可能继续推动主板向更精细线路演进。当封装I/O数量增加、焊盘间距缩小，传统减成法线路的空间进一步受到限制，mSAP以及0.075mm以下超细线路技术价值随之提高。与此同时，盲埋孔、盘中孔和多阶HDI需要承担更多层间互连任务。

变化不仅发生在线路密度。WMCM改善芯片内部热耦合，并不意味着主板热设计的重要性下降。相反，当2nm带来的能效提升被进一步转化为端侧AI性能时，局部热流密度、电源完整性以及高速信号完整性仍需要系统考虑。热焊盘、铜层分布、散热过孔和高速差分阻抗控制因此需要进入同一套设计框架。

产业边界外延：消费电子工艺正在向更多场景扩散

这种高密度互连趋势并不会停留在智能手机。AI服务器正在向16—78层高多层PCB、高速低损耗材料及±5%差分阻抗演进；800G/1.6T光通信设备推动mSAP和精细线路继续升级；智能汽车域控制器、机器人控制器以及低空飞行器，则同时需要HDI、高多层PCB、厚铜高功率设计和高可靠PCBA。

不同终端背后的方向实际上趋于一致：芯片集成度提高之后，PCB承担的功能正在增加。高速系统要求更低损耗，功率系统需要更强载流能力，可穿戴和机器人又需要FPC、刚挠结合板解决三维空间互连。PCB正在由单一连接载体向信号、电源、散热和结构协同平台演进。

高端制造能力跃迁：PCB与半导体封装进一步靠近

WMCM带来的另一层影响，是PCB制造与先进封装之间的技术边界继续缩短。从IC载板、SLP到高阶HDI，本质上都是线路精度、孔结构和层间互连密度不断提高的过程。当终端芯片进入2nm时代，PCB厂商的竞争力也越来越取决于激光钻孔、精密曝光、电镀填孔、层间对位、阻抗控制以及高密度SMT贴装的综合能力。

对于聚多邦而言，这类变化对应的并不是直接进入手机旗舰供应链，而是围绕高密度电子产品持续完善制造基础。目前聚多邦支持1—40层PCB制造，覆盖HDI、Any-layer、高频高速板以及FPC/刚挠结合板，最小线宽/线距可达0.076/0.076mm，并可针对部分高速差分场景进行±5%阻抗控制；结合PCB+SMT+PCBA一站式交付，以及SPI、AOI、3D X-Ray等检测能力，可服务端侧AI、机器人、通信设备、工业控制等产品的研发验证与中小批量制造。

从PoP到WMCM真正值得PCB行业关注的，并不是一种封装名称的变化，而是先进制程、先进封装与高密度PCB正在同时收缩电子系统的物理边界。当芯片进入2nm、端侧AI持续提高算力需求之后，主板制造也将从“高密度布线”进一步转向封装、PCB与PCBA协同设计，高阶HDI与精密制造能力的价值还将继续上升。