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金刚石散热:AI芯片的终极方案如何影响PCB设计?

2026
08/11
本篇文章来自
聚多邦

从芯片到PCB:金刚石散热正在重构AI算力硬件的热管理体系

2026年8月9日,据环球网相关报道,随着高端AI芯片功耗突破2300W,传统铜、铝散热材料正在面临更高的热流密度压力,热导率可达1000—2000W/m·K的金刚石材料开始进入高功率芯片散热体系,其导热能力约为铜的数倍。相关产业信息显示,采用金刚石散热方案可明显降低高功率GPU工作温度,2026年全球高端AI芯片用金刚石散热片市场规模预计达到87亿元,到2030年有望进一步增至592亿元。随着材料制备、加工及封装工艺逐步成熟,2026年正成为金刚石散热从技术验证向规模化应用推进的重要节点。


技术演进趋势:算力竞争正在转化为“热密度竞争”

AI芯片性能提升长期依赖制程、先进封装与架构升级,但当单芯片功耗进入千瓦级以后,限制算力释放的因素开始从晶体管数量延伸至热管理能力。芯片产生的热量如果无法快速从热点区域导出,即使拥有更高理论算力,也可能因为结温上升而降低运行频率,最终影响整个算力系统的持续性能。

因此,AI服务器散热正在经历从风冷到液冷,再向芯片级高导热材料延伸的技术升级。金刚石的价值就在于把热管理进一步推向热源附近,通过更高热导率降低芯片到冷却系统之间的热阻。但它并不会简单取代液冷、均热板或PCB散热结构,更可能与这些方案形成多层级协同:芯片级解决热量快速导出,系统级负责热量输送,机柜级最终完成热交换。

这意味着下一阶段AI服务器的竞争,不只是GPU性能竞争,而是“芯片—封装—PCB—液冷—机柜”整个热管理链条的共同升级。


制造体系重塑:PCB从承载电路走向参与热管理

金刚石散热效率提高,并不意味着PCB散热的重要性下降。恰恰相反,当AI芯片能够持续运行在更高功率区间,供电网络、电源模块以及板级器件承受的功率密度也会进一步提高,PCB需要同时承担高速互连、大电流传输和辅助散热功能。

这正在改变高端PCB的结构设计。AI服务器核心板从传统多层板向16—30层甚至更高层数发展,背板进一步向50层、70层乃至78层级别演进;高密度芯片扇出推动HDI、Any-layer以及mSAP等工艺应用,部分高速互连区域向0.075mm及以下精细线路发展。同时,厚铜、高密度导热孔、埋铜柱以及嵌铜块等结构开始承担大电流和垂直导热任务。

问题在于,热设计与电气设计并非完全一致。增加铜面积有利于导热和载流,却可能改变阻抗与寄生参数;高密度导热孔能够改善热路径,又会占用高速布线空间。因此,AI服务器PCB正在从单纯的线路设计问题,转变为信号完整性、电源完整性与热完整性的协同优化问题。


产业升级路径:224G/448G让“散热与信号”同时逼近极限

AI服务器的另一条升级路线来自高速互连。当GPU互联、交换芯片及800G、1.6T光模块持续升级,PCB不仅面对功率密度提高,还需要承载越来越高速的信号。高速差分阻抗需要向±5%级精度收敛,低损耗覆铜板、超低轮廓铜箔以及更加严格的层间对位成为重要制造变量。

这使高端PCB出现一个新的技术矛盾:一边需要提高铜含量、强化供电和散热,另一边又需要控制导体粗糙度、走线结构与介质参数,降低高速信号损耗。金刚石材料如果能够在芯片级释放部分热设计压力,其产业价值不仅体现在“降温”,还可能为板级高速布线释放更多设计空间。

进一步向光通信演进后,这一逻辑会更加明显。NPO、CPO等技术正在缩短电互连距离,PCB与封装之间的边界继续靠近;刚挠结合板与FPC则承担部分复杂空间互连。未来高性能计算系统可能不再存在单独意义上的“散热设计”或“PCB设计”,而是芯片、封装、互连和冷却共同参与的系统工程。


高端制造能力跃迁:DFM需要从“可制造”走向“系统协同”

对于PCB制造企业而言,这一变化意味着DFM的价值正在扩大。过去DFM更多关注线宽线距、孔径、铜厚和拼板利用率,而面向高功率AI硬件,还需要综合评估高速线路布局、厚铜区域、导热结构、器件密度以及后续SMT装联之间的制造兼容性。

聚多邦在这一产业链中的切入点,并非金刚石材料本身,而是围绕高功率硬件提供配套PCB制造能力。通过高多层PCB、HDI、高频高速、厚铜以及埋/嵌铜等工艺,并结合差分阻抗±5%控制,将DFM前置评审进一步延伸至PCB结构、散热路径和制造可行性的协同评估;后续再通过SMT高密度贴装以及PCB+SMT+PCBA一站式交付,形成从设计验证到制造交付的闭环。

从产业演进看,金刚石散热真正重要的意义,并不是找到一种导热率更高的材料,而是说明AI硬件已经进入**“算力增长必须依赖材料、封装、PCB与冷却系统共同突破”**的新阶段。随着单芯片功耗继续提高,PCB也将从传统电气互连载体进一步升级为高速传输、电源分配与热管理共同作用的系统级基础设施。


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