EMIB加速切入AI芯片封装：PCB产业链迎来新的技术传导

2026年8月27日，东方财富财富号披露的一份先进封装产业分析显示，英特尔EMIB正在加速切入AI ASIC先进封装市场，其中提到谷歌TPU v9约300万颗封装需求。不过，这一订单规模及具体代际目前主要来自产业链和媒体消息，谷歌与英特尔尚未公开确认具体数量；已有公开报道则称，谷歌计划在2028年采用英特尔先进封装处理超过300万颗TPU。与此同时，SK海力士也被报道正在测试EMIB用于HBM与逻辑芯片集成，先进封装开始出现CoWoS之外的第二条规模化技术路径。

技术演进趋势：封装正在进入系统架构设计

AI芯片性能提升过去主要依赖制程微缩，但随着GPU、ASIC与HBM规模持续扩大，单颗Die面积、功耗和I/O密度不断接近传统封装边界。Chiplet因此成为重要方向：计算、存储和I/O芯粒不再全部集成在一颗大芯片中，而是通过2.5D/3D封装形成更大的计算系统。

EMIB与CoWoS的技术路径存在明显差异。英特尔EMIB通过在封装基板中嵌入局部硅桥，实现逻辑芯片之间以及逻辑芯片与HBM之间的高密度互连，不需要在整个封装区域铺设大面积硅中介层。英特尔官方将其定位为面向复杂多芯片系统的2.5D封装技术，并已进一步发展EMIB-T，通过TSV强化供电和垂直互连能力。

这意味着先进封装的竞争正在从“谁能把芯片封起来”，转向“谁能用封装重新组织计算架构”。封装开始直接参与带宽、功耗、散热和系统成本设计，其产业地位正在明显上移。

供应链重构逻辑：多技术路线扩大基板需求

EMIB与CoWoS并行发展的价值，并不只是增加一家封装供应商，而是改变先进封装产业链的资源配置。EMIB把局部高密度互连集中在硅桥区域，同时高度依赖封装基板完成芯片承载、供电和外部连接，因此对基板的线路精度、平整度、材料稳定性以及嵌入工艺提出更高要求。

不过需要明确，EMIB封装基板、ABF载板、RDL中介层与普通PCB属于不同技术层级，传统PCB企业不能直接等同于先进封装基板供应商。真正值得PCB行业关注的是技术向下游传导：封装内部I/O密度提高后，服务器计算板、加速卡和高速交换板也必须同步提高互连密度。

因此，AI系统板正在从传统16层以上结构向30层、40层甚至更高层数发展，部分下一代高速背板进一步探索44—78层结构；HDI、Any-layer、背钻、激光微孔以及mSAP 0.075mm及以下精细线路，则承担更高密度的板级互连，高速差分阻抗控制也进一步向±5%级收紧。

应用场景扩展：先进封装升级继续向系统端传导

当GPU、ASIC与HBM通过先进封装获得更高带宽后，数据必须继续通过PCB、交换机和光模块向外传输，因此800G、1.6T高速网络也会同步提高对低损耗材料和高频高速PCB的需求。先进封装解决的是芯片之间的高速互连，PCB解决的是芯片封装之后的板级与系统级互连，两者构成连续的高速信号链路。

类似变化还会向智能汽车、机器人和低空飞行器延伸。中央计算和AI控制板增加高多层HDI需求，摄像头、传感器和运动关节推动FPC及刚挠结合板使用，而电机驱动、电源转换和高压系统则增加厚铜高功率PCB需求。先进封装首先改变AI服务器，随后会通过芯片性能升级向更多智能终端扩散。

制造体系重塑：PCB需要更早进入系统设计阶段

先进封装成为系统架构的一部分之后，PCB制造也需要从“接收Gerber生产”进一步向前端工程协同延伸。高速芯片的BGA扇出、过孔结构、材料选择、阻抗设计和电源完整性越来越相互关联，DFM评审越早介入，越有利于降低后续制造和装联风险。

聚多邦目前可围绕1—40层高多层PCB、HDI、FPC/刚挠结合板及厚铜PCB提供研发制造支持，并结合0.075mm级精细线路、部分高速差分±5%阻抗控制，为AI硬件、高速通信、汽车电子及机器人等板卡提供样板和中小批量验证。同时通过PCB+SMT+PCBA一站式交付，以及IQC、SPI、AOI、3D X-Ray等检测环节，进一步覆盖高密度BGA及高速器件的SMT贴装与焊接质量控制。

EMIB进入更多AI芯片项目释放出的核心信号，并不是CoWoS将被替代，而是先进封装正在由单一路线走向多平台竞争。当封装开始决定芯片系统的带宽、功耗和集成规模，IC载板、高多层PCB、高速材料、光通信与精密制造也会被同步推向更高技术等级。对于PCB行业而言，真正的机会仍然不是跨越边界直接进入芯片封装，而是承接先进封装向板级和系统级释放出来的高速、高密度互连需求。