从Sub-THz到近封装光互连：6G工程化正在重构高频PCB技术边界

2026年5月25日，在ISCAS 2026大会期间，华为披露Sub-THz（0.3—0.5THz）6G基站光模块工程验证样品，采用logic-folding架构与Hi-ONE近封装光I/O技术，带宽密度达到1.2Tb/s/mm2，功耗降低37%，并支持OIF CEI-112G相关高速互连规范。按照披露信息，工程样品已进入设备端验证阶段，并计划在2026年第四季度推进小批量生产，为后续6G预商用技术验证提供硬件基础。6G由实验室研究向工程样机演进，也意味着射频、光互连与PCB制造开始进入更具体的系统协同阶段。

技术演进趋势：频率继续上移，PCB损耗成为系统变量

从5G到6G，最直接的技术变化之一是通信频段继续向毫米波乃至Sub-THz延伸。当工作频率进入更高区间后，过去在PCB设计中可以被忽略的介质损耗、铜箔粗糙度、线路尺寸偏差和连接过渡结构，都可能明显影响系统性能。

这意味着高频PCB竞争首先会向材料端延伸。基材不仅需要更低的Df和更稳定的Dk，还要在温度、频率变化以及批次之间保持一致性。高速差分阻抗控制也将进一步收紧，±5%可能从高端通信板的制造能力逐渐转化为部分高速系统的基础门槛，线路蚀刻、介质厚度和层间对位必须共同控制。

因此，6G对PCB提出的问题已经不只是“能不能传输更高频率”，而是如何让材料、线路和制造公差共同进入系统级信号完整性设计。

产业升级路径：电互连缩短，光互连开始向芯片靠近

更值得关注的是Hi-ONE近封装光I/O所代表的技术路线。当高速数据传输继续提升，单纯依靠PCB铜互连延长传输距离的功耗与损耗代价越来越高，光引擎开始向交换芯片、基带处理器以及高性能计算芯片附近移动。这与AI服务器正在发展的CPO、NPO等架构具有相似逻辑。

这并不意味着PCB的重要性下降，而是PCB承担的任务发生变化。长距离高速电连接可能减少，但芯片、光模块、电源及控制器之间需要更加密集的短距离互连，高阶HDI、Any-layer以及mSAP 0.075mm及以下超细线路的重要性反而提高。对于部分基带处理、交换和系统背板，16—78层高多层PCB仍将承担复杂的电源、控制与高速互连功能。

因此，6G与AI算力正在出现技术汇流：两者都在推动系统从“高速PCB传输”向“高密度PCB+先进封装+光互连”协同演进。

应用场景扩展：Massive MIMO推动多种PCB工艺融合

6G基站另一端则是更复杂的天线系统。随着Massive MIMO规模扩大，射频通道、功率放大、滤波、电源和控制功能需要在有限空间内进一步集成，高频高速PCB与高多层背板的技术要求同步提升。

这一架构同时带来功率问题。大量射频通道意味着更复杂的供电与散热系统，部分功率模块需要厚铜高功率设计；天线单元与不同模组之间则可能通过FPC或刚挠结合板完成空间互连。高频、功率、高密度和三维结构由此开始集中出现在同一通信设备内部。

这种融合趋势同样可能向卫星互联网、车路协同、低空通信以及机器人无线感知系统扩散。6G真正打开的并非单一基站PCB市场，而是“空天地”高速连接基础设施对高频精密电子制造的长期需求。

高端制造能力跃迁：工程验证阶段决定供应链起跑线

从产业周期看，工程验证到规模商用之间往往存在较长的材料认证、工艺验证和可靠性测试过程。因此，当前阶段对于PCB产业更重要的并非立即形成多大订单，而是制造能力能否提前进入客户研发链条。

聚多邦在这一阶段对应的能力方向，包括高多层HDI、高频高速PCB、刚挠结合制造、mSAP 0.075mm级超细线路加工以及高速差分阻抗±5%控制，并进一步通过PCB+SMT+PCBA一站式交付，将IQC、SPI、AOI、X-Ray等检测环节纳入制造闭环。对于处于工程验证阶段的通信设备而言，这类制造体系的价值更多体现在快速迭代和小批量验证，而非单纯规模产能。

从Sub-THz射频到近封装光I/O，6G正在同时推动无线端与有线互连端升级。其对PCB产业最大的影响，也不会只是增加一种“6G高频板”，而是进一步模糊PCB、封装基板、光模块和射频前端之间原有的制造边界。

未来高端通信PCB的竞争逻辑，可能从层数、材料等单项参数竞争，转向材料、高频线路、HDI、超细线路、功率与光电协同的系统能力竞争。对于PCB产业而言，6G真正值得关注的时间点，恰恰是在规模订单出现之前。