从CPO爬坡到NPO演进：光互连升级正在把PCB推向更高精度

2026年8月12日，据产业链会议纪要披露，CPO供应链正在进入量产准备阶段：英伟达Spectrum交换机配套36芯FAU需求预计达到千万只规模，天孚已开启小批量出货，ELS外置光源模组预计10月启动出货，CPO交换机也计划于10月进入小规模爬坡阶段，真正放量窗口预计在2027年1—2月。与此同时，面向更远期高速互连的NPO方案对线路提出约8μm级要求，制造难度进一步上升；随着3.2T时代临近，NPO与CPO可能形成长期并行的技术路线。

技术演进趋势：高速互连正在逼近传统电互连的物理边界

AI集群规模持续扩大之后，算力基础设施面临的核心问题正在从“芯片算得多快”延伸到“数据能否及时送达”。GPU数量增加、交换容量提升以及机柜内部数据交换频率上升，使传统铜互连面临信号损耗、功耗和传输距离等约束，这也是1.6T、3.2T光通信以及CPO技术持续推进的重要原因。

CPO的核心变化，是缩短交换芯片与光引擎之间的高速电连接距离，将更多数据传输转移至光域。由此带来的结果并非PCB重要性下降，而是PCB需要承担更加复杂的高速电气互连、电源分配以及光电系统连接任务。交换机主板向20层以上乃至16—78层高多层PCB发展，高速材料进一步向M8、M9等低损耗体系升级，差分阻抗控制也需要向±5%等更严格范围收敛。

产业升级路径：CPO改变的不只是光模块，而是整套互连结构

从FAU开始小批量交付，到ELS预计10月启动，再到CPO交换机进入小规模爬坡，供应链不同环节正在逐渐由研发验证走向工程化生产。这意味着产业关注点将从单一光器件性能，进一步转向封装、PCB、连接、散热和组装等系统能力，CPO产业链的竞争也将由器件竞争逐渐演变为系统工程竞争。

这种变化会直接提高PCB的工艺复杂度。高速交换芯片周围需要更高密度的互连结构，HDI、Any-layer、激光微孔以及mSAP等工艺的重要性持续提升，部分高密度PCB线路能力向0.075mm及以下演进；高速信号区域强调低损耗与阻抗一致性，电源区域又需要厚铜高功率设计。局部空间受限的光电模块还可能引入FPC和刚挠结合板，形成“高多层+HDI+高速材料+柔性互连”的复合制造体系。

高端制造能力跃迁：NPO正在进一步拉高精度上限

如果说CPO代表光电协同带来的系统级变化，那么NPO则进一步反映了PCB与先进封装技术边界逐渐靠近的趋势。按照此次产业链信息，NPO方向提出约8μm级线路要求，已经明显超出传统PCB制造能力范围，更接近IC载板及先进封装的精细化制造体系。

这背后对应的是整个电子制造产业技术边界的持续上移。传统PCB、高阶HDI、SLP类载板和IC载板之间原本较为清晰的技术分界，正在高速算力需求推动下逐渐模糊。mSAP、SAP、精密微孔以及更严格的层间对位能力将成为下一阶段重要技术方向。对于PCB产业而言，未来竞争可能不再简单按照“多少层”划分，而是转向线路精度、材料加工能力、信号完整性以及批量良率等综合指标。

制造体系重塑：从做高速板转向交付高速系统

CPO真正进入规模化阶段后，制造难点还会进一步从PCB裸板延伸至PCBA。高速交换机及光电模块内部器件密度提升，对BGA等高密度SMT贴装、焊接一致性以及检测能力提出更严格要求，PCB设计、制板、SMT和测试之间的协同程度，将直接影响产品从工程样机走向规模量产的速度。

对于聚多邦等PCB/PCBA制造服务商而言，现阶段更重要的是围绕下一代高速互连提前建立制造能力，包括高多层HDI、高频高速材料加工、FPC与刚挠结合、0.075mm级精细线路以及±5%差分阻抗控制，并通过DFM前置评审以及IQC、SPI、AOI、X-Ray等检测环节，将PCB制造、SMT高密度贴装与PCBA交付形成完整闭环。尤其在CPO尚处于小批量爬坡阶段时，工程验证与小批试产能力将成为连接研发方案和后续量产的重要环节。

从FAU小批量出货、ELS启动，到CPO交换机进入爬坡，再到3.2T时代NPO/CPO可能并行，光通信产业正在经历的不只是一次速率升级，而是互连架构本身的变化。对于PCB产业而言，这轮变化最终指向的也并非单纯增加层数，而是向更低损耗、更高密度、更精细线路以及光电协同制造持续演进。