随着电子产品日趋小型化、高性能化，HDI（高密度互连）技术不断迭代升级，其中SAP（Semi-Additive Process，半加成法）与mSAP（Modified Semi-Additive Process，改良半加成法）正逐步成为下一代HDI主流工艺。它们在精细线路制造上的潜力巨大，同时也带来了不小的工艺挑战。
SAP工艺通过在绝缘基板上沉铜、图形电镀、蚀刻等方式实现线路制造，突破了传统减成法线宽/线距受限的问题，可实现50μm/50μm甚至更精细的线路。而mSAP工艺则是在SAP基础上的优化改良，线路形成方式更加精准，线宽线距可以进一步缩小至30μm/30μm甚至更小，满足5G、高速计算、AI芯片等对信号完整性、布线密度的更高要求。
mSAP的主要优势在于：
1.更精细的线宽线距：通过化学方式控制铜层厚度，减少蚀刻不均造成的过度腐蚀，提高图形精度。
2.更高的布线密度：适用于ABF基材的高端载板，可实现更多走线与更高层叠集成。
3..更优的电性能表现：降低信号路径损耗，有利于高速信号传输。
然而，mSAP也并非完美。其挑战主要体现在以下几个方面：
1.工艺控制难度大：mSAP要求在铜沉积、图形形成和蚀刻步骤中实现极高的一致性，对生产设备、制程参数与材料稳定性要求极高。
2.良率控制压力大：线宽线距越小，工艺容错率越低。微小瑕疵都可能导致开路、短路或信号干扰，增加良率控制成本。
3.成本偏高：相比传统SAP工艺，mSAP在设备、材料与检测环节投入更大，目前多用于高端载板与高频高速应用，尚未大规模普及至中低端领域。
相较而言，SAP工艺因其稳定性较强、良率较高，目前在多数高端智能手机和消费类电子中仍是主力工艺。SAP更适合量产和成本敏感型产品；而mSAP则以其极限微细线路优势，在高端IC载板、AI芯片封装、服务器主板等领域展现出强劲潜力。
mSAP与SAP并不是非此即彼的关系，而是两种处于不同发展阶段、适应不同需求的先进制程。随着材料技术进步与制程设备精度提升，mSAP有望逐步降低成本、提升良率，迈向更广泛的产业应用。对于追求极致性能的电子产品来说，mSAP无疑代表了HDI发展的重要方向。
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